HL系列蒸发源通常适用于Ga，In等材料，采用瓶状坩埚和双加热丝的结构设计，上下温区独立控温，可实现正温度梯度，避免材料在坩埚口部凝结，从而降低椭圆形缺陷密度。凭借其独特的坩埚形状，HL系列蒸发源可显著增加装料容积，延长材料蒸发平均时间，大幅降低开关快门瞬间束流变化程度。另外，瓶状坩埚有助于形成恒定的液体表面，可提供优异的均匀性，长期稳定的束流强度及良好的束流重复性。根据坩埚内材料的多少，调整上下温区的温度梯度，对束流均匀性进行优化。
| ● 超高真空兼容 | ● 两组加热丝单独控温，可实现“热唇”构型 | ● 采用瓶状坩埚，具有优异的束流均匀性和长期稳定性 |
| ● 温度稳定性优于±0.2℃ | ● 配备独立水冷套，蒸发源与水冷可单独拆卸 |
| 蒸发源型号 | HL110 | HL175 | HL1100 | HL2350 | |
| 坩埚容积 (cc) | 110 | 175 | 1100 | 2350 | |
| 安装法兰尺寸 | CF63 | CF63 | CF125 | CF200 | |
| 总长度 (mm) | 399 | 460.5 | 602.3 | 653.3 | |
| 真空内长度 (mm) | 260.3 | 321.8 | 447 | 513.3 | |
| 真空内外径 (mm) | 55.3 | 55.3 | 100.2 | 164 | |
坩埚尺寸 (mm) | 直径 | 15.1 | 15.1 | 31.4 | 38.1 |
| 高度 | 119.5 | 181 | 314.4 | 403.7 | |
| 坩埚材质 | PBN | ||||
| 坩埚形状 | 瓶状坩埚 | ||||
| 加热方式 | 辐射加热，PBN支撑钽片 | ||||
| 热电偶 | C型/W-Re 5%-26% | ||||
| 温度稳定性 | ≤±0.2℃ | ||||
| 工作温度 | 300-1350℃ | ||||
| 最高除气温度 | 上温区1300℃，下温区1350℃ | ||||
| 烘烤温度 | 250℃ | ||||
| 订购编码 | 3205010064 | 3205010052 | 3205010041 | 3205010170 | |
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