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MBE-400 分子束外延系统

MBE-400 主要采用氩弧焊加工的圆柱形316不锈钢腔体,腔体顶部法兰尺寸为DN350CF,最多能安装10个蒸发源。预留多种法兰口,安装法兰兼容RGA、RHEED、BFM等多种原位测量,束流挡板瞬时可控,实现2inch高质量薄膜生长。

产品特点
● 蒸发源差分设计,允许在高氧或臭氧分压下沉积氧化物材料● 无需破坏生长腔真空,实现蒸发源的填料和替换● 可选用高纯臭氧发生系统或者射频等离子源作为氧源


技术参数
MBE 400模块描述配置参数
生长室
腔体
腔体材料SS316
腔体尺寸300mm I.D
烘烤温度Max.200℃
本底真空< 5×10-10 mbar
抽气系统700L/s分子泵+10m3/h机械泵
真空测量系统离子规+Pirani规
液氮冷屏选配
离子泵选配
低温泵选配
样品架样品最大尺寸2 inch
衬底加热方式辐射加热
衬底加热器温度室温-1200K
电子束加热选配
衬底加热方式选配
液氮制冷模块选配
部件蒸发源配置6xDN40CF, 2xDN63CF
独立的蒸发源挡板气动驱动
QCM标配
RHEED15KeV-30KeV
Ion Source选配
RGA选配

快速进样室
腔体腔体材料SS316
烘烤温度Max.200℃
本底真空<5×10-8 mbar
抽气系统80L/s分子泵+10m3/h机械泵
真空测量系统全量程规
部件样品停放台3工位
系统集成及控制GUIDE软件标配
烘烤系统标配
系统支架标配
真空照明系统选配
等离子清洗选配
CCD相机选配



标签: 超高真空MBE
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