Oxide MBE 350 主要采用氩弧焊加工的圆柱形316不锈钢腔体，腔体顶部法兰尺寸为DN300CF。MBE350系统最多可安装9个蒸发源，预留多种法兰口，可结合RHEED实时监测薄膜生长。系统可引入具有氧化性的气体来外延生长金属氧化物薄膜。
| ● 蒸发源差分设计，允许在高氧或臭氧分压下沉积氧化物材料 | ● 无需破坏生长腔真空，实现蒸发源的填料和替换 | ● 可选用高纯臭氧发生系统或者射频等离子源作为氧源 |
| Oxide-MBE-350 | 模块描述 | 配置参数 | |
| 生长室 | 腔体 | 腔体材料 | SS316 |
| 腔体尺寸 | 200mm I.D | ||
| 烘烤温度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | < 5×10-10 mbar | ||
| 抽气系统 | 450L/s分子泵+10m3/h机械泵 | ||
| 真空测量系统 | 离子规+Pirani规 | ||
| 液氮冷屏 | 选配 | ||
| 离子泵 | 选配 | ||
| 样品架 | 样品尺寸 | Flag-type样品托 | |
| 衬底加热方式 | 辐射加热 | ||
| 衬底加热器温度 | 室温-1200K | ||
| 部件 | 蒸发源配置 | 6xDN40CF, 2xDN63CF | |
| 独立的蒸发源挡板 | 气动驱动 | ||
| QCM | 标配 | ||
| RHEED | 15KeV-30KeV | ||
| Ion Source | 选配 | ||
| 臭氧发生模块 | 选配 | ||
| 射频等离子源 | 选配 | ||
快速进样室 | 腔体 | 腔体材料 | SS316 |
| 烘烤温度 | Max.200℃ | ||
| 本底真空 | <5×10-8 mbar | ||
| 抽气系统 | 80L/s分子泵+10m3/h机械泵 | ||
| 真空测量系统 | 全量程规 | ||
| 部件 | 样品停放台 | 6或12工位 | |
| 系统集成及控制 | GUIDE软件 | 标配 | |
| 烘烤系统 | 标配 | ||
| 系统支架 | 标配 | ||
| 真空照明系统 | 选配 | ||
| 等离子清洗 | 泵车 | ||
| CCD相机 | 选配 | ||
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