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Sphere-300 分子束外延系统

Sphere 300 主要采用氩弧焊加工的球形316不锈钢腔体,腔体直径为300mm,最多可安装5个蒸发源。Sphere 300 生长腔体预留多种法兰口,功能完善,能实现RHEED原位表征。系统适用于小尺寸(匹配旗形样品托)样品生长,非常适合科研用户用于高质量薄膜制备。

产品特点
一套小型、经济型的分子束外延系统● 可结合RHEED原位测量,功能完善的分子束外延系统可作为预处理系统,用于生长前或者生长后样品处理

技术参数
Sphere-300
模块描述配置参数
生长室

腔体腔体材料SS316
腔体尺寸300mm I.D
烘烤温度Max.200℃
本底真空< 5×10-10 mbar
抽气系统300L/s分子泵+10m3/h机械泵
真空测量系统离子规+Pirani规
离子泵选配
样品架样品尺寸Flag-type样品托
衬底加热方式辐射加热
衬底加热器温度室温-1200K
电子束加热选配
直流加热选配
液氮制冷模块选配
部件蒸发源配置3xDN40CF, 1xDN100CF
独立的蒸发源挡板气动驱动
QCM标配
RHEED15KeV-30KeV
Ion Source选配
RGA选配
超导磁体磁体类型干式/GM制冷
磁体环境室温腔体
腔体内径105mm
磁场强度±9T
磁场均匀性<0.1%
快速进样室
腔体腔体材料SS316
烘烤温度Max.200℃
本底真空<5×10-8 mbar
抽气系统80L/s分子泵+10m3/h机械泵 
真空测量系统全量程规
部件样品停放台6或12工位
传样杆CF35/600mm
机械手CF35/150mm
系统集成及控制GUIDE软件标配
烘烤系统标配
系统支架标配
真空照明系统选配
等离子清洗选配
CCD相机选配


标签: 超高真空MBE
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