双温区裂解源是针对一些蒸气压高的材料，如Se, Te, As, Mg, Sb, CdTe和ZnTe等设计的裂解源，目的是在材料蒸发过程中使原子簇团获得额外的热量进行裂解。双温区蒸发源有两个独立的加热丝，底部蒸发区温度可达1000 ℃，顶部裂解区可达1400 ℃。
坩埚材质为PBN，容积50cc。在50cc坩埚内会放置一个由Ta、PBN或PG材料制作的内衬坩埚。内衬坩埚底部中心有一个很小的孔，通过改变孔的尺寸，可以控制束流分布和密度。
| ● 加热系统： 辐射加热，带有PBN支撑片的Ta加热丝 | ● 温度稳定性 ≤0.1% (取决于PID控制器) | |
| ● 超高真空兼容，极限真空10-11 mbar | ● 挡板：可选Ta挡片（手动/气动) | |
| 法兰尺寸 | 坩埚尺寸 | 分区 | 工作温度 | 最大除气温度 | 热电偶 | 温度稳定性 |
| NW38CF(O.D. 2.75”) | 50 cc | 顶部裂解区 | 300~1400℃ | 1500℃ | C | ±0.1% |
| 底部蒸发区 | 100~1000℃ | 1100℃ | K |
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